不用看了都是后驅(qū)，[水印→回答者： @漂移王啊智 ]優(yōu)點(diǎn)很多，豪華舒適傳統(tǒng)等等，[水印→回答者： @漂移王啊智 ]缺點(diǎn)很少，[水印→回答者： @漂移王啊智 ]大都是越野性能方面的弱勢(shì)。

SLC(Single Layer Cell 單層單元)和MLC(Multi-Level Cell多層單元)。SLC的特點(diǎn)是成本高、容量小、速度快，而MLC的特點(diǎn)是容量大成本低，但是速度慢。MLC的每個(gè)單元是2bit的，相對(duì)SLC來(lái)說(shuō)整整多了一倍。不過(guò)，由于每個(gè)MLC存儲(chǔ)單元中存放的資料較多，結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，出錯(cuò)的幾率會(huì)增加，必須進(jìn)行錯(cuò)誤修正，這個(gè)動(dòng)作導(dǎo)致其性能大幅落后于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的SLC閃存。此外，SLC閃存的優(yōu)點(diǎn)是復(fù)寫(xiě)次數(shù)高達(dá)100000次，比MLC閃存高10倍。此外，為了保證MLC的壽命，控制芯片都校驗(yàn)和智能磨損平衡技術(shù)算法，使得每個(gè)存儲(chǔ)單元的寫(xiě)入次數(shù)可以平均分?jǐn)�，達(dá)到100萬(wàn)小時(shí)故障間隔時(shí)間(MTBF)。 MLC技術(shù)是今后NAND Flash的發(fā)展趨勢(shì)，就像CPU單核心、雙核心、四核心一樣，MLC技術(shù)通過(guò)每Cell存儲(chǔ)更多的bit來(lái)實(shí) 現(xiàn)容量上的成倍跨越，直至更先進(jìn)的架構(gòu)問(wèn)世。而SLC短期內(nèi)仍然會(huì)是市場(chǎng)的佼佼者，但隨著MLC技術(shù)的不斷發(fā)展和完善，SLC必將退出歷史的舞臺(tái)