劣勢(shì)太大了A320neo和737max都是在成熟機(jī)型上改進(jìn)發(fā)展而來(lái)的其存量市場(chǎng)非常大。用戶眾多，改裝成本非常小如果你是用戶，你愿意使用既有機(jī)型的發(fā)展型，以保證零部件的通用性還是另起爐灶，引入一種新機(jī)型，重新進(jìn)行人員培訓(xùn)、零部件采購(gòu)？一般情況下，你自然選擇前一個(gè)方案

工業(yè)X射線探傷衛(wèi)生防護(hù)標(biāo)準(zhǔn) RadiologicalprotectionstandardsforindustrialX-raydetection GBZ117-2002 1范圍 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了工業(yè)X射線探傷裝置和探傷作業(yè)場(chǎng)所及有關(guān)人員的放射衛(wèi)生防護(hù)要求。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于500kV以下的工業(yè)X射線探傷裝置(以下簡(jiǎn)稱X射線裝置)的生產(chǎn)和使用。 2規(guī)范性引用文件 下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 GB8703輻射防護(hù)規(guī)定 3術(shù)語(yǔ)和定義 下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 3.1X射線專用探傷室探傷X-raydefectdetectingintheroomforspecialuse 在專用探傷室對(duì)物體內(nèi)部缺陷進(jìn)行X射線透照檢查的工作過(guò)程。 3.2X射線現(xiàn)場(chǎng)探傷X-raydefectdetectingon-the-spot 在室外、生產(chǎn)車間或安裝現(xiàn)場(chǎng)使用移動(dòng)式或攜帶式X射線探傷裝置對(duì)物體內(nèi)部缺陷進(jìn)行X射線透照檢查的工作過(guò)程。 3.3探傷室defectdetectingroom 放置X射線裝置和被檢物體進(jìn)行X射線透照檢查并具有一定屏蔽射線作用的照射室。 4X射線探傷裝置的放射衛(wèi)生防護(hù)要求 4.1防護(hù)技術(shù)要求 4.1.1X射線管頭 4.1.1.1移動(dòng)式或固定式的X射線裝置管頭組裝體應(yīng)能固定在任何需要的位置上加以鎖緊。 4.1.1.2X射線管頭應(yīng)安裝有限束裝置。 4.1.1.3X射線管頭窗口孔徑不得大于額定最大有用線束射出所需尺寸。 4.1.1.4X射線管頭必須具有如下標(biāo)志: a)制造廠名稱或商標(biāo); b)型號(hào)及順序編號(hào); c)X射線管的額定管電壓、額定管電流; d)焦點(diǎn)的位置; e)出廠日期。 4.1.2漏射線空氣比釋動(dòng)能率 X射線裝置在額定工作條件下，距X射線管焦點(diǎn)1m處的漏射線空氣比釋動(dòng)能率應(yīng)符合如下要求: 管電壓,kV 漏射線空氣比釋功能率,mGy·h-1 150 1 150~200 2.5 200 5 4.1.3控制器 4.1.3.1控制器必須安設(shè)X射線管電壓的通或斷、X射線管電壓與管電流和照射時(shí)間顯示裝置。 4.1.3.2工作在固定的管電壓或固定的管電流的X射線裝置必須在控制器上安設(shè)標(biāo)明管電壓或管電流的數(shù)值。 4.1.3.3控制器必須安設(shè)高壓接通的外部報(bào)警或指示裝置。 4.1.4連接電纜 移動(dòng)式或攜帶式X射線裝置，控制器與X射線管頭或高壓發(fā)生器的連接電纜不得短于20m。 4.1.5產(chǎn)品說(shuō)明書(shū) 產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)應(yīng)注明X射線裝置的型號(hào)、規(guī)格和主要技術(shù)指標(biāo)與防護(hù)性能。 4.2漏射線空氣比釋動(dòng)能率的測(cè)試條件 a)X射線管頭窗口的最大有用線束截面積用10個(gè)半值層的吸收材料進(jìn)行屏蔽，參見(jiàn)附錄A(資料性附錄); b)在額定工作條件下，用劑量率儀測(cè)定以焦點(diǎn)為球心半徑1m球面上的空氣比釋動(dòng)能率，應(yīng)是100cm，面積上的平均測(cè)量值; c)漏射線監(jiān)測(cè)誤差應(yīng)小于30%。 4.3驗(yàn)收規(guī)則 4.3.1X射線裝置的防護(hù)性能是否符合本標(biāo)準(zhǔn)的要求，應(yīng)由生產(chǎn)單位檢驗(yàn)部門(mén)進(jìn)行檢驗(yàn)，放射衛(wèi)生防護(hù)監(jiān)督部門(mén)抽驗(yàn)。 4.3.2在下列情況下，應(yīng)進(jìn)行型式試驗(yàn)(按本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的項(xiàng)目進(jìn)行檢查)。 a)新產(chǎn)品或老產(chǎn)品磚廠投產(chǎn)前; b)連續(xù)生產(chǎn)中的產(chǎn)品，每年應(yīng)不少于一次; c)間隔一年以上再投產(chǎn)時(shí); d)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、工藝或材料有改變，可能影響產(chǎn)品的防護(hù)性能時(shí)。 a)與d)型式試驗(yàn)應(yīng)有所在地省級(jí)衛(wèi)生行政部門(mén)指定的放射衛(wèi)生技術(shù)服務(wù)機(jī)構(gòu)參加。型式試驗(yàn)結(jié)果均應(yīng)送該機(jī)構(gòu)備案。 5X射線探傷作業(yè)場(chǎng)所的放射衛(wèi)生防護(hù)要求 5.1X射線專用探傷室探傷 5.1.1專用探傷室的設(shè)置必須充分考慮周圍的放射安全，探傷室必須與操作室分開(kāi)。 5.1.2探傷室屏蔽設(shè)計(jì)應(yīng)充分考慮有用線束照射的方向和范圍、裝置的工作負(fù)荷及室外情況，確保室外人員年有效劑量小于其相應(yīng)的限值。 5.1.3探傷室門(mén)的防護(hù)性能應(yīng)與同側(cè)墻的防護(hù)性能相同，并安裝門(mén)-機(jī)聯(lián)鎖安全裝置和照射信號(hào)指示器，必須在門(mén)關(guān)閉后X射線裝置才能進(jìn)行透照檢查。 5.1.4探傷室的窗口必須避開(kāi)有用線束的照射方向，并應(yīng)具有同側(cè)墻的屏蔽防護(hù)性能。 5.2X射線現(xiàn)場(chǎng)探傷作業(yè) 5.2.1進(jìn)行透照檢查時(shí)，必須考慮控制器與X射線管和被檢物體的距離、照射方向、時(shí)間和屏蔽條件等因素，以保證探傷作業(yè)人員的受照劑量低于劑量限值，并應(yīng)達(dá)到可以合理做到盡可能低的水平。 5.2.2進(jìn)行透照檢查時(shí)，可將被檢物體周圍的空氣比釋動(dòng)能率在4OμGy·h-1以上的范圍內(nèi)劃為控制區(qū)，特殊情況參見(jiàn)附錄B(規(guī)范性附錄)。控制區(qū)邊界上必須懸掛清晰可見(jiàn)的"禁止進(jìn)入X射線區(qū)"警示標(biāo)識(shí)，探傷作業(yè)人員應(yīng)在邊界外操作，否則必須采取防護(hù)措施。 5.2.3進(jìn)行透照檢查時(shí)，控制區(qū)邊界外空氣比釋動(dòng)能率在4μGy·h-1以上的范圍內(nèi)可劃為管理區(qū)，在其邊界上必須設(shè)警示標(biāo)識(shí)，如信號(hào)燈、鈴、警戒繩，并懸掛清晰可見(jiàn)的"無(wú)關(guān)人員禁止入內(nèi)"警告牌，必要時(shí)設(shè)專人警戒。尚應(yīng)注意控制在管理區(qū)邊界附近不應(yīng)有經(jīng)常停留的公眾成員。 6放射防護(hù)監(jiān)測(cè) 6.1必須加強(qiáng)對(duì)現(xiàn)場(chǎng)探傷作業(yè)人員進(jìn)行個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)。 6.2專用探傷室建成后必須進(jìn)行驗(yàn)收監(jiān)測(cè)，當(dāng)工作條件變動(dòng)時(shí)應(yīng)注意進(jìn)行場(chǎng)所監(jiān)測(cè)。 6.3現(xiàn)場(chǎng)探傷的工作條件和現(xiàn)場(chǎng)變動(dòng)時(shí)，必須進(jìn)行場(chǎng)所監(jiān)測(cè)，并驗(yàn)證確定的控制區(qū)和管理區(qū)。 附錄A (資料性附錄) X射線防護(hù)材料半值層 A.1寬X射線束屏蔽材料的近似半值層 見(jiàn)表A.1。 表A.1鉛和混凝土的寬X射線束的近似半值層 X射線管電壓 d1/2,cm kV 鉛 混凝土 50 0.005 0.4 75 0.015 - 100 0.025 1.6 150 0.029 2.2 200 0.042 2.6 250 0.086 2.8 300 0.17 3.0 400 0.25 3.0 500 0.31 3.6 附錄B (規(guī)范性附錄) X射線現(xiàn)場(chǎng)探傷作業(yè)控制區(qū)與管理區(qū)的確定 B.1把控制區(qū)邊界空氣比釋動(dòng)能率定為4OμGy·h-1，是按放射工作人員年有效劑量限值的十分之三(15mSv)和每周實(shí)際開(kāi)機(jī)時(shí)間為7.5h惟算的。如果每周實(shí)際開(kāi)機(jī)時(shí)間t大于7.5h，控制區(qū)邊界空氣比釋動(dòng)能率應(yīng)按下式計(jì)算: K=300/t………………………………………(B.1) 式中:K-控制區(qū)邊界空氣比釋動(dòng)能率,μGy·h-1; t-每周實(shí)際開(kāi)機(jī)時(shí)間,h 300-15mSv平均分配到每年50周的數(shù)值，即300μSv。 同時(shí)，管理區(qū)邊界空氣比釋動(dòng)能率也相應(yīng)改變。

測(cè)量單位 由于歷史的原因，在此手冊(cè)中采用了CGS制單位，國(guó)際制（SI）和CGS制之間的轉(zhuǎn)換可簡(jiǎn)化于下表2： 表2單位轉(zhuǎn)換表 在CGS制自由空間磁導(dǎo)率的幅值為1且無(wú)量綱。在SI制自由空間磁導(dǎo)率的幅值為4π×10-7亨/米 3.3、電感 對(duì)于每一個(gè)磁芯電感（L）可用所列的電感系數(shù)（AL）計(jì)算： (14) AL：對(duì)1000匝的電感系數(shù) mH N：匝數(shù) 所以：這里 這里L(fēng)是nH 電感也可由相對(duì)磁導(dǎo)率確定，磁芯的有效參數(shù)見(jiàn)圖 10: (15) Ae:有效磁芯面積 cm2 :有效磁路長(zhǎng)度 cm μ:相對(duì)磁導(dǎo)率（無(wú)量綱） 對(duì)于環(huán)形功率磁芯，有效面積和磁芯截面積相同。 根據(jù)定義和安培定理，有效磁路長(zhǎng)度是線圈的安匝數(shù)（NI）和從外徑到外徑穿過(guò)磁芯面積的平均磁場(chǎng)強(qiáng)度之比。有效磁路長(zhǎng)度可用安培定理和平均磁場(chǎng)強(qiáng)度給出的公式計(jì)算： (16) O.D. ：磁芯外徑 I.D. ：磁芯內(nèi)徑 電感系數(shù)是用單層密繞線圈測(cè)量的。磁通密度和測(cè)試頻率保持與實(shí)際一樣低，通常低于40高斯和10KHz或更低。對(duì)于各種磁導(dǎo)率和材料，能用‘正常磁導(dǎo)率對(duì)磁通密度關(guān)系’和‘典型磁導(dǎo)率對(duì)頻率關(guān)系’的圖形來(lái)解釋低電平測(cè)試的條件。 3.4、磁導(dǎo)率 對(duì)于每一個(gè)磁芯尺寸的電感系數(shù)是建立在相對(duì)磁導(dǎo)率的增量上的。在沒(méi)有直流偏置和低磁通密度時(shí)，正常磁導(dǎo)率和增量磁導(dǎo)率是一樣的。增量磁導(dǎo)率隨直流偏置一起減小的情況以及“增量磁導(dǎo)率對(duì)直流偏置”的曲線如圖11所示。由“增量磁導(dǎo)率對(duì)直流偏置” 曲線看到正常磁導(dǎo)率如同峰值磁導(dǎo)率B。許多設(shè)計(jì)過(guò)程包括選擇峰值工作磁通密度去幫助決定磁芯的尺寸。磁材的飽和磁通密度限制了峰值工作磁通密度或被磁材的損耗所限制。在選擇磁材、工作磁通密度和決定磁芯的尺寸之后，法拉第定理（下面討論）用于計(jì)算匝數(shù)N。最后選擇磁導(dǎo)率以滿足電感的需要。 L=電感 nH =有效磁路長(zhǎng)度 cm Ae=有效磁芯面積 cm2 圖11正常和增量磁導(dǎo)率 寬范值的磁導(dǎo)率經(jīng)常能滿足不同的電感需要。 安培定理（也在下面討論）所給的峰值磁化強(qiáng)度H，是建立在匝數(shù)、峰值磁化電流（電感總電流和變壓器原方的空載電流）和磁芯磁路長(zhǎng)度的基礎(chǔ)上的。如圖11見(jiàn)到那樣，在設(shè)計(jì)過(guò)程開(kāi)始選擇磁導(dǎo)率時(shí)，要設(shè)置與峰值磁通密度值相應(yīng)的直流磁磁化強(qiáng)度H。對(duì)于鐵鎳鉬（MPP），對(duì)于所給的磁磁化強(qiáng)度H，下面圖12的選擇曲線將給出產(chǎn)生最大電感的磁導(dǎo)率。 圖12磁導(dǎo)率選擇曲線 圖13典型鐵鎳鉬磁芯的增量磁導(dǎo)率和直流偏置曲線 3.5、磁通密度和法拉第定理 磁通密度（B）的水平會(huì)影響磁芯損耗和磁導(dǎo)率。除非另有提示，手冊(cè)中的數(shù)據(jù)是對(duì)正弦波和最大（峰值）磁通密度的�？捎梅ɡ�第定理表示： (17) Bmax: 最大（峰值）磁通密度(高斯) ERMS:繞組端正弦電壓的均方根值（Vrms） N:匝數(shù) Ae:磁芯有效矩形截面積（cm） f: 正弦電壓頻率 有效面積被認(rèn)為是磁芯的全部截面積，見(jiàn)圖14。但被磁滲透所占有的面積小于有效面積，是由于磁導(dǎo)率的減小而減小的。對(duì)于不同的磁導(dǎo)率，手冊(cè)數(shù)據(jù)有效包括了來(lái)自更小的磁滲透面積。 除此之外，Bmax是在磁芯截面積上的平均最大磁通密度。這個(gè)磁通密度是朝內(nèi)徑方向產(chǎn)生的，并朝外徑方向減小見(jiàn)安培定理，在下面將會(huì)描述。 3.6、磁場(chǎng)強(qiáng)度和安培定理 安培定理是表示磁場(chǎng)強(qiáng)度（H）和電流、匝數(shù)、和磁路長(zhǎng)度的關(guān)系：： (18) H：磁場(chǎng)強(qiáng)度（奧斯特） N：匝數(shù) I：電流（安培） L:磁路長(zhǎng)度(cm) 按安培定理，磁場(chǎng)強(qiáng)度朝內(nèi)徑方向更強(qiáng)（在這里 最短）。有效磁路長(zhǎng)度提供了穿過(guò)磁芯截面積的磁場(chǎng)強(qiáng)度的平均值： (19) Haverage：從內(nèi)徑到外徑穿過(guò)磁芯的平均磁場(chǎng)強(qiáng)度 ：同樣單獨(dú)列于磁芯規(guī)格的有效磁路長(zhǎng)度（cm） N：匝數(shù) I：電流（安培） 在此手冊(cè)中均使用平均磁場(chǎng)強(qiáng)度，除非另有提示。 磁場(chǎng)強(qiáng)度可用正常的磁化曲線估算磁通密度。見(jiàn)有關(guān)磁導(dǎo)率分布。被定義的相對(duì)磁導(dǎo)率為： (20) ：相對(duì)磁導(dǎo)率 B: 磁通密度(高斯) H: 磁場(chǎng)強(qiáng)度（奧斯特） 對(duì)于平均繞組的直流電阻可由下式計(jì)算： (21) ：匝數(shù)的平均長(zhǎng)度 N：匝數(shù) r:導(dǎo)線電阻（歐姆/1000英尺）見(jiàn)導(dǎo)線表。 除繞組的正常直流電阻外，由于交流電流的集膚效應(yīng)繞組電阻存在一個(gè)增量變化，可被近似計(jì)算： (22) (23) d=導(dǎo)線直徑（英） f=頻率（Hz） ℃=工作溫度 1.1、選擇電感材料 開(kāi)關(guān)電源正常工作頻率20KHz以上，而電源產(chǎn)生的有害噪聲比20KHz高，往往在100KHz～50MHz之間。 對(duì)于電感來(lái)講，大多數(shù)選擇適當(dāng)和高效費(fèi)比的鐵氧體，因?yàn)樵谟泻︻l帶內(nèi)能提供最高的阻抗。當(dāng)看到公共參數(shù)如磁導(dǎo)率和損耗系數(shù)就去識(shí)別材料是困難的。圖2給出鐵氧體磁環(huán)J-42206-TC繞10匝后的阻 抗ZS和頻率的關(guān)系曲線。 圖2鐵氧體磁環(huán)的阻抗和頻率的關(guān)系 在1～10MHz之間繞組到達(dá)最大阻抗，串聯(lián)感抗XS和串聯(lián)電阻RS（材料磁導(dǎo)率和損耗系數(shù)的函數(shù)）共同產(chǎn)生總阻抗Zt。 圖3所示為圖2中鐵氧體材料的磁導(dǎo)率和損耗系數(shù)與頻率的函數(shù)關(guān)系。由于感抗引起的下降，導(dǎo)致磁導(dǎo)率在750KHz以上的下降；由于電阻取決高頻的源阻抗所以損耗系數(shù)隨頻率而增加。 圖3鐵氧體磁環(huán)的磁導(dǎo)率、損耗系數(shù)和頻率的關(guān)系 圖4給出三種不同材料的總阻抗和頻率的關(guān)系。J材料在超過(guò)1～20MHz范圍內(nèi)具有高的總阻抗，它最廣泛地應(yīng)用于共模濾波器的扼流圈。在1MHz，W材料阻抗比J材料高20-50％，當(dāng)?shù)皖l噪聲是主要問(wèn)題時(shí)經(jīng)常應(yīng)用J材料；K材料可用于2MHz以上，因?yàn)樵诖祟l率范圍內(nèi)它產(chǎn)生的阻抗比J材料高直至100％。在2MHz以上或以下，對(duì)于濾波器所要求的規(guī)范，J或W是優(yōu)先的。 圖4三種不同材料的阻抗和頻率的關(guān)系 1.2、磁芯的形狀 對(duì)于共模噪聲濾波器環(huán)形磁芯是最普及的，他們不貴、泄漏磁通也低。環(huán)形磁芯必須用手繞制（或在獨(dú)特的環(huán)形繞線機(jī)上繞制）。正常情況要用一個(gè)非金屬的分隔板放置在兩個(gè)繞組之間，以及為了和PC板連接，這個(gè)繞制器件還需環(huán)氧化在印制板的頭部。 具有附件的E形磁芯比環(huán)形磁芯貴，但組裝成一個(gè)整體只需較小的代價(jià)。繞制E形磁芯的骨架相對(duì)便宜。為了分隔兩個(gè)繞組可購(gòu)到有分隔板的骨架并可安裝在PC板上。 E形磁芯有更多的泄漏電感，在共模濾波器中對(duì)于不同的濾波是有用的。E形磁芯為了增加泄漏電感可以豁開(kāi)縫隙，以便吸收有害的共模和差模噪聲。 1.3、磁芯的選擇 下面給出環(huán)形磁芯的設(shè)計(jì)步驟，單層共模電感見(jiàn)圖5。為了盡量減小繞組電容和防止由于不對(duì)稱繞組引起的磁芯飽和，單層設(shè)計(jì)是經(jīng)常應(yīng)用的。步驟中假設(shè)兩個(gè)相反的繞組之間的最小自由空間為30度。 圖5單層共模電感的結(jié)構(gòu) 對(duì)于共模電感所需的基本參數(shù)是電流（I）、阻抗（ZS）、和頻率（f）。電流決定導(dǎo)線的尺寸。一個(gè)保守的400A/cm2電流密度不會(huì)在導(dǎo)線上產(chǎn)生有效的熱量。而一個(gè)過(guò)分的800A/cm2電流密度會(huì)引起導(dǎo)線發(fā)熱，這兩個(gè)等級(jí)可用選擇圖表表示。 在所給頻率上，規(guī)定一個(gè)最小的電感阻抗是正常的。這個(gè)頻率通常足夠低并假設(shè)感抗XS能提供圖2所示的阻抗。隨后電感可計(jì)算為：(2) (1) 用已知的電感和電流乘積LI基礎(chǔ)上的圖6和圖7能用于選擇磁芯的尺寸，這里L(fēng)是電感(mH)和I是電流（A）。建立在電流密度（Cd）400或800 A/cm2基礎(chǔ)上的導(dǎo)線尺寸（AWG）可用下式計(jì)算： (2) 匝數(shù)可由磁芯的AL值決如下： （3） 1.4、設(shè)計(jì)舉例 在10KHz阻抗為100Ω時(shí),電流為3A，由式（1）計(jì)算得LS=1.59mH；用800 A/cm2電流密度時(shí),LI乘積為4.77，為了選擇材料可從圖7查得磁芯尺寸。在此例，選擇W材料直至1MHz可以給出高的阻抗，見(jiàn)圖4。圖7給出磁芯材料為W-41809-TC。由表1可查得磁芯尺寸和AL值。用AL=12200 mH /1000匝，式（3）給出N=12匝每邊。用800 A/cm2時(shí), 式（2）給出AWG=21。 表1環(huán)形磁芯尺寸及其AL值 二、整流電感設(shè)計(jì) 典型的穩(wěn)壓器電路包含三個(gè)部分：晶體開(kāi)關(guān)管、二極箝位管、和LC濾波器。一個(gè)不穩(wěn)壓的直流電壓加到通常工作在1～50KHz頻率的晶體開(kāi)關(guān)管。當(dāng)開(kāi)關(guān)處在‘ON’狀態(tài)時(shí)，輸入電壓Ein加到LC濾波器，結(jié)果導(dǎo)致通過(guò)電感的電流增大；當(dāng)開(kāi)關(guān)處在‘OFF’狀態(tài)時(shí)，用儲(chǔ)存在電感和電容內(nèi)的過(guò)剩能量來(lái)保持輸出功率。通過(guò)調(diào)整‘ON’狀態(tài)時(shí)的晶體開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間ton和用來(lái)自輸出端的反饋系統(tǒng)來(lái)獲得穩(wěn)壓。結(jié)果穩(wěn)定的直流輸出電壓可表示為： Eout=Eintonf (4) 圖8典型的穩(wěn)壓器電路 2.1、組件選擇 開(kāi)關(guān)系統(tǒng)包含晶體管和來(lái)自穩(wěn)壓器輸出的反饋。晶體管的選擇包含兩個(gè)因素：（1）電壓等級(jí)需大于最大的輸入電壓（2）為了保證有效地工作，截止頻率特性必須高于實(shí)際的開(kāi)關(guān)頻率。反饋電路通常包括運(yùn)放和比較器。對(duì)于二極箝位管的要求和晶體管的選擇相同。如果已知：（1）最大和最小的輸入電壓（2）要求的輸出（3）最大允許的紋波電壓（4）最大和最小的負(fù)載電流（5）想要的開(kāi)關(guān)頻率，那幺就可獲得電感和電容的值。LC濾波器的設(shè)計(jì)就容易完成。首先晶體管的截止時(shí)間toff可計(jì)算為： toff=（1- Eout/Ein max）/f (5) 當(dāng)Ein減至它的最小值 fmin=(1- Eout/Ein max)/ toff (6) 用這些值，所需的電感和電容可以算得： 通過(guò)電感所允許的紋波峰-峰電流（Δi）可由下式給出： Δi=2IO min (7) 電感可用下式計(jì)算： L= Eouttoff/Δi （8） 對(duì)于Δi的計(jì)算值是有點(diǎn)任意，不過(guò)對(duì)于電感可以調(diào)整以獲得實(shí)際值。 最小的電容可由下式給出： C=Δi/8f minΔeO （9） 最后，電容最大的等效串聯(lián)電阻ESR是： ESR max =ΔeO/Δi （10） 2.2、電感設(shè)計(jì) 在高頻下鐵氧體E形和罐形磁芯能提供成本降低和低磁芯損耗的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，F(xiàn)和P材料被推薦是因?yàn)樗麄兊臏囟群椭绷髌�置特性。為避免飽和，可采用增加鐵氧體型材氣隙的辦法使磁芯有效地使用。 對(duì)于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的應(yīng)用，這些磁芯的選擇步驟能簡(jiǎn)化電感的設(shè)計(jì)。假設(shè)繞組系數(shù)50％和導(dǎo)線載流容量為500園周面積（Circular Mils）/安培，我們能決定最小的磁芯尺寸。 設(shè)計(jì)應(yīng)用的兩個(gè)僅有參數(shù)必須知道： ①電感需要用的直流偏置。 ②直流電流。 （1）計(jì)算產(chǎn)品的LI2 這里：L=具有直流偏置的所需電感 I=最大直流輸出電流 I =IO max+Δi (11) （2） 將LI2值設(shè)置在鐵氧體磁芯的選擇圖表中（P.4.15～4.18）。跟蹤與第一根磁芯尺寸曲線相交的座標(biāo)，在Y軸上可讀得最大額定電感AL，它表示最小的磁芯尺寸和最大的AL，在那一點(diǎn)飽和將被避免。 （3）若磁芯的AL較小于在座標(biāo)上獲得的最大值，那幺對(duì)于電感來(lái)說(shuō)，任何磁芯尺寸線只要與LI2座標(biāo)相交就表示是一個(gè)可使用的磁芯。若可能，使用標(biāo)準(zhǔn)氣隙的磁芯是可取的，這是由于他們的有效性。這些在座標(biāo)上用虛線表示，在此手冊(cè)能找到。 （4）需要的電感L、磁芯尺寸、和磁芯的額定電感（AL）是已知的，那幺可用下式計(jì)算線圈的匝數(shù)：(12)